Память в 3D

Первую в индустрии NAND флэш-память с трехмерной структурой упаковки чипа и вертикальным расположением ячеек разработала компания Samsung.

Новинка позволяет преодолеть существующие ограничения масштабируемости энергонезависимой памяти. 3D V-NAND обладает выгодным соотношением производительности/размера и будет применяться в широком спектре потребительской электроники, в том числе твердотельных накопителях.

Чип объемом 128 Гбит использует технологию 3D Charge Trap Flash, обеспечивающую повышенную надежность работы и одновременно позволяющую снизить стоимость флэш-памяти по сравнению с классическими ячейками с плавающим затвором.